5月12日，据《朝鲜日报》等多家韩国媒体报道 ，三星电子已从今年3月起
，逐步停止其位于韩国华城校区12号产线的2D NAND生产，并将该设施改造为1c DRAM（第6代10纳米级DRAM）的“End Fab ”后端工厂。

报道称 ，这条月产能8万至10万片晶圆的生产线，是三星最后一座2D NAND基地 。它的关闭标志着自2002年三星全球首次量产1Gb NAND闪存以来
，长达24年的2D NAND时代正式宣告终结
。

三星的停止2D NAND生产非孤立事件。其决策与MLC NAND产品的停产紧密挂钩 。MLC（多阶存储单元）每单元存储2比特数据，虽然容量不及TLC（3比特）和QLC（4比特） ，但数据保持能力和耐久性远优于后者
，一直是对可靠性要求苛刻的医疗设备、工业机器人等市场的“标配
”。然而，由于利润微薄 ，三星已向客户发出MLC NAND停产通知
，预计2026年6月完成最后出货后全面停止供应
。

紧随其后，日本铠侠（Kioxia）也在今年3月正式通知客户逐步退出2D NAND市场。根据通知 ，客户最后下单截止日为2026年9月30日
，最终出货将延续至2028年12月31日，2029年起全面撤出 。此次停产范围极广 ，涵盖32纳米 、24纳米
、15纳米制程的SLC、MLC 、TLC全类型产品
，以及裸晶圆、BGA
、TSOP封装乃至eMMC、UFS 、SD卡等全形态产品，属于整条旧世代技术平台的全面退役
。

美光同样也在收缩 ，目前仅按现有客户需求维持MLC NAND生产。同时美光还正式终止旗下消费品牌“Crucial”业务，将旧制程晶圆产能全面转向AI数据中心所需的先进存储器 。

价格暴涨300%
，恐慌性囤货已至

大厂的退出速度远超市场技术迭代的步伐
。市场调研机构TrendForce预测，2026年全球MLC NAND产能将比前一年骤降41.7%。更严峻的是 ，三星和美光在淘汰旧设备时
，拒绝向外界授权核心的MLC制造技术，新玩家几乎无法入场填补缺口 。

供需失衡已直接引爆价格
。部分SLC和MLC产品单月涨幅达两位数 ，MLC 64Gb现货价格从2025年底的约6美元飙升至20至28美元区间
，涨幅超过300%，“恐慌性囤货 ”已达到顶峰。

Digitimes今年3月曾报道称 ，虽然国际大厂淡出低容量的2D NAND旧制程产线
，SLC/MLC NAND价格暴涨 。其中，MLC NAND今年一季度价格翻倍上涨 ，第二季度价格预计将再2倍翻涨
，只要有产能释出，就立刻被客户抢走 ，市场缺口难以补足，若累计从2025年起至今
，价格几乎涨了10倍
。

华邦电子成最大赢家

2D NAND市场留下的巨大缺口，正在向仍坚守这一领域的中国台湾厂商转移。据台媒《经济日报》报道 ，华邦电子长期专注浮栅式架构SLC NAND利基市场
，产品覆盖1Gb至8Gb容量，擅长车用电子
、工业控制等需要高耐用度与高温稳定性的场景 ，被业界视为承接铠侠退出后转单最多的赢家 。旺宏电子同样具备19纳米2D NAND制程能力
，产品覆盖2Gb至32Gb，亦将同步受益。

此外 ，中国大陆的兆易创新、东芯股份 、普冉股份等也将从中受益
。其中
，兆易创新同时布局SLC/MLC NAND，东芯股份专注于中小容量SLC/MLC NAND ，普冉股份主打中小容量SPI SLC NAND。

一位半导体行业人士对此评论称：“资源向高附加值AI存储器的集中
，正在瓦解支撑实体经济的传统存储市场 。家电和汽车制造商的成本压力及供应链风险，至少将持续到明年
。”

编辑：芯智讯-浪客剑

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